锦富新材拟成立美国研发中心

　　【事件简述】:

　　2016年6月22日公告,公司拟通过全资子公司香港赫欧电子有限公司在美国加利福尼亚州设立研发中心,注册资本为100万美元。根据《公司章程》的规定,此次投资无需经公司董事会及股东大会审议。此次投资尚需在美国加利福尼亚州相关机构办理登记手续。

　　【事件点评】:

　　公司在该研发中心成立后,将专注对VR及AR软硬件技术、高速WIFI技术、云计算技术、分布式存储技术、半导体新材料技术及其它新材料技术等进行研究,为公司的发展积淀技术,推动公司的转型与升级。美国研发中心成立对公司现阶段的经营不会产生重大影响。

　　【近两月机构评级】:

　　无

　　【技术点睛】:

　　该股近期处于反弹趋势,昨日大幅下跌且跌破5日均线,RSI指标形成死叉,KDJ指标折返向下,回调迹象较为明显,投资者谨慎关注为宜。